Схемы зарядных устройств для мобильных телефонов нокиа

Схемы зарядных устройств для мобильных телефонов нокиа

Импульсное зарядное устройство модели TAD037EBE предназначено для зарядки аккумуляторов мобильного телефона NOKIA. Его внешний вид показан на рис.1. Зарядные устройства для этих телефонов имеют характерный цилиндрический штекер диаметром 3,4 мм, с помощью которого он вставляется в мобильный телефон. Питается устройство от сети -220. 100 В и вырабатывает постоянное напряжение 5 В при максимальном токе 0,7 А (без внешней нагрузки — 7,2 В).

Если из корпуса зарядного устройства вывинтить один шуруп, то он легко разбирается на две части, из которых вынимается монтажная плата размером 50×34 мм. На ней навесным монтажом смонтирована вся схема устройства. ЧИП-элементов на плате нет.

Принципиальная схема зарядного устройства, нарисованная по монтажной схеме, представлена на рис.1а. Все радиоэлементы на принципиальной схеме обозначены так, как и на монтажной схеме.

Устройство представляет собой блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме. Питает его однополупериодный выпрямитель (Dl, C1) напряжением порядка +300 В при напряжении питающей сети

220 В. Резисторы R1, R2 ограничивают пусковой ток устройства и выполняют роль предохранителя. Основу блокинг-генератора составляют транзистор Q1 и импульсный трансформатор Т1. Необходимым элементом, блокинг-генератора является цепь положительной обратной связи. Она образована обмоткой 2 трансформатора Т1, элементами R5, СЗ, R4 и резистором R3, ограничивающим ток базы.

Стабилитрон ZD ограничивает выбросы напряжения на базе транзистора Q1.

Демпферная цепочка D5, С2, R7 ограничивают выбросы напряжения на обмотке 1 трансформатора Т1. В момент запирания транзистора Q1 эти выбросы могут превышать напряжение питания в несколько раз, поэтому минимально допустимое напряжение конденсатора С2 и диода D5 должно быть не ниже 1 кВ.

Резистор R2 создает положительное смещение на базе Q1. Форма импульсов напряжения на базе Q1 в работающем блокинг-генераторе показана на рис.1б. Их частота следования равна 15 МГц.

Импульсное напряжение, снимаемое с вторичной обмотки трансформатора Т1, выпрямляется диодом D3 и сглаживается конденсатором С5. Резистор R9 нагрузочный, а резистор R8 и зеленый светодиод D8 обеспечивают визуальную индикацию работающего зарядного устройства. Напряжение холостого хода зарядного устройства равно 7,2 В.

Ремонт зарядного устройства начинают с внешнего осмотра монтажной платы. Если при этом выявлены поврежденные элементы, их заменяют новыми. Однако не все радиоэлементы при повреждении могут менять свой внешний вид. Примером тому могут быть резисторы R1 и R6. Их повреждение можно выявить только омметром.

В зарядном устройстве, попавшем автору в ремонт, причиной повреждения этих резисторов был пробой транзистора Q1. Возможными причинами пробоя этого транзистора могут быть: скачки напряжения сети (наиболее частая причина [6, 7]), заводской брак, потеря емкости конденсатора С4 (22,0 мкФ, 50 В).

Для замены поврежденного п-р-п транзистора Q1 в корпусе ТО-92 (рис.1в), можно использовать следующие транзисторы: KSE1301 (400 В, 0,1 А, 0,15$); MJE13001 (500 В, 0,3 А, 0,13$); MPSA94 (400 В, 0,3 А, 0,07$); MPSA44 (500 В, 0,3 А, 0,07$).

Перед установкой исправного транзистора необходимо правильно определить его цоколевку, она может не совпадать с отверстиями в монтажной плате. Заменив поврежденные резисторы и транзистор, необходимо также заменить конденсатор С4 (22,0 мкФ, 50 В) независимо от его состояния, так как потеря емкости этого конденсатора может привести к пробою транзистора Q1.

После проверки исправности остальных элементов устройство включают в сеть через последовательно соединенную лампочку на 220 В мощностью 100. 150 Вт. Лампочка надежно защитит устройство от сгорания при возможных ошибках в ремонте.

При ремонте устройства следует помнить, что его высоковольтная часть находится под фазным напряжением, опасным для жизни.

1. Кучеров Д.П. Источники питания ПК. — Наука и Техника, 2005.

2. Власюк Н.П, Ремонт зарядного устройства мобильного телефона Siemens// Радюаматор, — 2004. — №9. — С.54.

3. Власюк Н.П. Зарядное устройство мобильного телефона LG// Радюаматор. — 2005. — №4. — С.54.

4. Власюк Н.П. Блок литания ноутбука// Радюаматор. -2005. — №5. — С.28.

5. Власюк Н.П. Импульсный блок питания факсимильного аппарата Panasonic KX-FT76// Радюаматор. — 2005. -№7. — С.52.

6. Власюк Н.П. Грозозащита информационных сетей и радиоэлектронной аппаратуры// Радюаматор. — 2006. — №12.-С5.

Источник



Основные схемы импульсных сетевых адаптеров для зарядки телефонов

Схемы импульсных сетевых адаптеров для зарядки телефонов

Большинство современных сетевых зарядных устройств собрано по простейшей импульсной схеме, на одном высоковольтном транзисторе (рис. 1) по схеме блокинг-генератора.

В отличие от более простых схем на понижающем 50 Гц трансформаторе, трансформатор у импульсных преобразователей той же мощности гораздо меньше по размерам, а значит, меньше размеры, вес и цена всего преобразователя. Кроме того, импульсные преобразователи более безопасны — если у обычного преобразователя при выходе из строя силовых элементов в нагрузку попадает высокое нестабилизированное (а иногда и вообще переменное) напряжение со вторичной обмотки трансформатора, то при любой неисправности «импульсника» (кроме выхода из строя оптрона обратной связи — но его обычно очень хорошо защищают) на выходе вообще не будет никакого напряжения.

Рис. 1
Простая импульсная схема блокинг-генератора
Подробнейшее описание принципа действия (с картинками) и расчета элементов схемы высоковольтного импульсного преобразователя (трансформатор, конденсаторы и пр.) можно прочитать, например, в «ТЕА152х Efficient Low Power Voltage supply» по ссылке http://www. nxp.com/acrobat/applicationnotes/AN00055.pdf (на английском).

Переменное сетевое напряжение выпрямляется диодом VD1 (хотя иногда щедрые китайцы ставят целых четыре диода, по мостовой схеме), импульс тока при включении ограничивается резистором R1. Здесь желательно поставить резистор мощностью 0,25 Вт — тогда при перегрузке он сгорит, выполнив функцию предохранителя.

Преобразователь собран на транзисторе VT1 по классической обратноходовой схеме. Резистор R2 нужен для запуска генерации при подаче питания, в этой схеме он необязателен, но с ним преобразователь работает чуть стабильней. Генерации поддерживается благодаря конденсатору С1, включенному в цепь ПОС на обмотке частота генерации зависит от его емкости и параметров трансформатора. При отпирании транзистора напряжение на нижних по схеме выводах обмоток / и II отрицательное, на верхних — положительное, положительная полуволна через конденсатор С1 еще сильней открывает транзистор, амплитуда напряжения в обмотках возрастает. То есть транзистор лавинообразно открывается. Через некоторое время, по мере заряда конденсатора С1, базовый ток начинает уменьшаться, транзистор начинает закрываться, напряжение на верхнем по схеме выводе обмотки II начинает уменьшаться, через конденсатор С1 базовый ток еще сильней уменьшается, и транзистор лавинообразно закрывается. Резистор R3 необходим для ограничения базового тока при перегрузках схемы и выбросах в сети переменного тока.

В это же время амплитудой ЭДС самоиндукции через диод VD4 подзаряжается конденсатор СЗ — поэтому преобразователь и называется обратноходовым. Если поменять местами выводы обмотки III и подзаряжать конденсатор СЗ во время прямого хода, то резко возрастет нагрузка на транзистор во время прямого хода (он может даже сгореть из-за слишком большого тока), а во время обратного хода ЭДС самоиндукции окажется нерастраченной и выделится на коллекторном переходе транзистора — то есть он может сгореть от перенапряжения. Поэтому при изготовлении устройства нужно строго соблюдать фазировку всех обмоток (если перепутать выводы обмотки II — генератор просто не запустится, так как конденсатор С1 будет наоборот, срывать генерацию и стабилизировать схему).

Выходное напряжение устройства зависит от количества витков в обмотках II и III и от напряжения стабилизации стабилитрона VD3. Выходное напряжение равно напряжению стабилизации только в том случае, если количество витков в обмотках II и III одинаковое, в противном случае оно будет другое. Во время обратного хода конденсатор С2 подзаряжается через диод VD2, как только он зарядится до примерно -5 В, стабилитрон начнет пропускать ток, отрицательное напряжение на базе транзистора VT1 чуть уменьшит амплитуду импульсов на коллекторе, и выходное напряжение стабилизируется на некотором уровне. Точность стабилизации у этой схемы не очень высока — выходное напряжение гуляет в пределах 15. 25% в зависимости от тока нагрузки и качества стабилитрона VD3.
Схема более качественного (и более сложного) преобразователя показана на рис. 2

Рис. 2
Электрическая схема более сложного
преобразователя
Для выпрямления входного напряжения используется диодный мостик VD1 и конденсатор , резистор должен быть мощностью не менее 0,5 Вт, иначе в момент включения, при зарядке конденсатора С1, он может сгореть. Емкость конденсатора С1 в микрофарадах должна равняться мощности устройства в ваттах.

Сам преобразователь собран по уже знакомой схеме на транзисторе VT1. В цепь эмиттера включен датчик тока на резисторе R4 — как только протекающий через транзистор ток станет столь большим, что падение напряжения на резисторе превысит 1,5 В (при указанном на схеме сопротивлении — 75 мА), через диод VD3 приоткроется транзистор VT2 и ограничит базовый ток транзистора VT1 так, чтобы его коллекторный ток не превышал указанные выше 75 мА. Несмотря на свою простоту, такая схема защиты довольно эффективна, и преобразователь получается практически вечный даже при коротких замыканиях в нагрузке.

Для защиты транзистора VT1 от выбросов ЭДС самоиндукции, в схему добавлена сглаживающая цепочка VD4-C5-R6. Диод VD4 обязательно должен быть высокочастотным — идеально BYV26C, чуть хуже — UF4004-UF4007 или 1 N4936, 1 N4937. Если нет таких диодов, цепочку вообще лучше не ставить!

Конденсатор С5 может быть любым, однако он должен выдерживать напряжение 250. 350 В. Такую цепочку можно ставить во все аналогичные схемы (если ее там нет), в том числе и в схему по рис. 1 — она заметно уменьшит нагрев корпуса ключевого транзистора и значительно «продлит жизнь» всему преобразователю.

Стабилизация выходного напряжения осуществляется с помощью стабилитрона DA1, стоящего на выходе устройства, гальваническая развязка обеспечивается оптроном V01. Микросхему TL431 можно заменить любым маломощным стабилитроном, выходное напряжение равно его напряжению стабилизации плюс 1,5 В (падение напряжения на светодиоде оптрона V01)’, для защиты светодиода от перегрузок добавлен резистор R8 небольшого сопротивления. Как только выходное напряжение станет чуть выше положенного, через стабилитрон потечет ток, светодиод оптрона начнет светиться, его фототранзистор приоткроется, положительное напряжение с конденсатора С4 приоткроет транзистор VT2, который уменьшит амплитуду коллекторного тока транзистора VT1. Нестабильность выходного напряжения у этой схемы меньше, чем у предыдущей, и не превышает 10. 20%, также, благодаря конденсатору С1, на выходе преобразователя практически отсутствует фон 50 Гц.

Трансформатор в этих схемах лучше использовать промышленный, от любого аналогичного устройства. Но его можно намотать и самому — для выходной мощности 5 Вт (1 А, 5 В) первичная обмотка должна содержать примерно 300 витков проводом диаметром 0,15 мм, обмотка II — 30 витков тем же проводом, обмотка III — 20 витков проводом диаметром 0,65 мм. Обмотку III нужно очень хорошо изолировать от двух первых, желательно намотать ее в отдельной секции (если есть). Сердечник — стандартный для таких трансформаторов, с диэлектрическим зазором 0,1 мм. В крайнем случае, можно использовать кольцо внешним диаметром примерно 20 мм.

Источник

2 Схемы

Принципиальные электросхемы, подключение устройств и распиновка разъёмов

Распиновка USB разъемов для зарядки телефонов

Большинство современных мобильных телефонов, смартфонов, планшетов и других носимых гаджетов, поддерживает зарядку через гнездо USB mini-USB или micro-USB. Правда до единого стандарта пока далеко и каждая фирма старается сделать распиновку по-своему. Наверное чтоб покупали зарядное именно у неё. Хорошо хоть сам ЮСБ штекер и гнездо сделали стандартным, а также напряжение питания 5 вольт. Так что имея любое зарядное-адаптер, можно теоретически зарядить любой смартфон. Как? Изучайте варианты распиновки USB и читайте далее.

Распиновка USB разъемов для Nokia, Philips, LG, Samsung, HTC

Бренды Nokia, Philips, LG, Samsung, HTC и многие другие телефоны распознают зарядное устройство только если контакты Data+ и Data- (2-й и 3-й) будут закорочены. Закоротить их можно в гнезде USB_AF зарядного устройства и спокойно заряжать свой телефон через стандартный дата-кабель.

Распиновка USB разъемов на штекере

Если зарядное устройство уже обладает выходным шнуром (вместо выходного гнезда), и вам нужно припаять к нему штекер mini-USB или micro-USB, то не нужно соединить 2 и 3 контакты в самом mini/micro USB. При этом плюс паяете на 1 контакт, а минус — на 5-й (последний).

Распиновка USB разъемов для Iphone

У Айфонов контакты Data+ (2) и Data- (3) должны соединяться с контактом GND (4) через резисторы 50 кОм, а с контактом +5V через резисторы 75 кОм.

Распиновка зарядного разъема Samsung Galaxy

Для заряда Самсунг Галакси в штекере USB micro-BM должен быть установлен резистор 200 кОм между 4 и 5 контактами и перемычка между 2 и 3 контактами.

Распиновка USB разъемов для навигатора Garmin

Для питания или заряда навигатора Garmin требуется особый дата-кабель. Просто для питания навигатора через кабель нужно в штекере mini-USB закоротить 4 и 5 контакты. Для подзаряда нужно соединить 4 и 5 контакты через резистор 18 кОм.

Схемы цоколёвки для зарядки планшетов

Практически любому планшетному компьютеру для заряда требуется большой ток — раза в 2 больше чем смартфону, и заряд через гнездо mini/micro-USB во многих планшетах просто не предусмотрен производителем. Ведь даже USB 3.0 не даст более 0,9 ампер. Поэтому ставится отдельное гнездо (часто круглого типа). Но и его можно адаптировать под мощный ЮСБ источник питания, если спаять вот такой переходник.

Распиновка зарядного гнезда планшета Samsung Galaxy Tab

Для правильного заряда планшета Samsung Galaxy Tab рекомендуют другую схему: два резистора: 33 кОм между +5 и перемычкой D-D+; 10 кОм между GND и перемычкой D-D+.

Распиновка разъёмов зарядных портов

Вот несколько схем напряжений на контактах USB с указанием номинала резисторов, позволяющих эти напряжения получить. Там, где указано сопротивление 200 Ом нужно ставить перемычку, сопротивление которой не должно превышать это значение.

Классификация портов Charger

• SDP (Standard Downstream Ports) – обмен данными и зарядка, допускает ток до 0,5 A.
• CDP (Charging Downstream Ports) – обмен данными и зарядка, допускает ток до 1,5 A; аппаратное опознавание типа порта (enumeration) производится до подключения гаджетом линий данных (D- и D+) к своему USB-приемопередатчику.
• DCP (Dedicated Charging Ports) – только зарядка, допускает ток до 1,5 A.
• ACA (Accessory Charger Adapter) – декларируется работа PD-OTG в режиме Host (с подключением к PD периферии – USB-Hub, мышка, клавиатура, HDD и с возможностью дополнительного питания), для некоторых устройств – с возможностью зарядки PD во время OTG-сессии.

Как переделать штекер своими руками

Теперь у вас есть схема распиновки всех популярных смартфонов и планшетов, так что если имеете навык работы с паяльником — не будет никаких проблем с переделкой любого стандартного USB-разъема на нужный вашему девайсу тип. Любая стандартная зарядка, которая основывается на использовании USB, предусматривает использование всего лишь двух проводов – это +5В и общий (минусовой) контакт.

Просто берёте любую зарядку-адаптер 220В/5В, от неё отрезаете ЮСБ коннектор. Отрезанный конец полностью освобождается от экрана, в то время как остальные четыре провода зачищаются и залуживаются. Теперь берем кабель с разъемом USB нужного типа, после чего также отрезаем от него лишнее и проводим ту же самую процедуру. Теперь остается просто спаять между собой провода согласно схемы, после чего соединение изолировать каждое отдельно. Полученное в итоге дело сверху заматывается изолентой или скотчем. Можно залить термоклеем — тоже нормальный вариант.

Бонус: все остальные разъёмы (гнёзда) для мобильных телефонов и их распиновка доступны в единой большой таблице — смотреть.

НАЖМИТЕ ТУТ И ОТКРОЙТЕ КОММЕНТАРИИ

Повторюсь, подробную информацию можно почерпнуть в статье Типы зарядных портов. Здесь же приведу сводную схему напряжений на контактах USB с указанием номинала резисторов, позволяющих те или иные напряжения получить. Там, где указано сопротивление 200 Ом нужно ставить перемычку, сопротивление которой не должно превышать те самые 200 Ом.

Источник

Схемы зарядных устройств для мобильных телефонов нокиа

Н.П. Власюк, г. Киев
Импульсное зарядное устройство (ЗУ) модели АС-3, показанное на рис.1, китайского производства и предназначено для зарядки мобильных телефонов NOKIA нового поколения. Его штекер, по сравнению со старыми ЗУ, уменьшен и имеет диаметр 2 мм (рис.1).

Технические характеристики ЗУ
Р=6,5 ВА
Uвх=

100. 240В
Uвых=5 В при Iном=350 мА
Uxx=7. 8B
Если из корпуса зарядного устройства выкрутить два шурупа и снять крышку, то легко вынуть монтажную плату размерами 42×31 мм. На ней размещены как обычные, так и SMD-эле-менты (рис.2 и рис.3).
Работа устройства
Принципиальная схема этого зарядного устройства показана на рис.4 и нарисована автором по монтажной схеме. Все радиоэлементы на принципиальной схеме обозначены так же, как и на монтажной схеме.
Принцип работы импульсных зарядных устройств прост. Вначале переменное сетевое напряжение 220 В выпрямляется до постоянного напряжения 300. 310 В, далее с помощью транзисторного ключа или специальной микросхемы это напряжение преобразуется в импульсы с частотой в десятки или сотни килогерц и подается на первичною обмотку трансформатора с ферритовым сердечником (ФТ). Во вторичной цепи ФТ устанавливают однополупериодный выпрямитель со сглаживающим электролитическим конденсатором. Количество витков вторичной обмотки рассчитывают на необходимое напряжение, как в данном ЗУ 5 В при токе 350 мА.
Основу этого ЗУ представляет микросхема IC1 типа LNK564DN. Ее структурная схема показана на рис.5. Параметры микросхемы: мощность 3 Вт: допустимое входное питающее напряжение 93. 265 В: ключ коммутации МОП-транзистор; максимальное напряжение коммутации 700 В: частота преобразования 93. 103 кГц; КПД- 64.. .70%: корпус SMD-8; стоимость 1.. .2 USD.

Питает микросхему двухполупериодный выпрямитель. При изменении питающего напряжения в пределах 93. 265 В. микросхема поддерживает выходное напряжение +5 В,путем изменения скважности импульсов в первичной цепи трансформатора.
Естественно, при низких напряжениях питания микросхемы (близкой к 100 В) она на пределе своих возможностей все же поддерживает напряжение +5 В при предельной нагрузке 350 мА, при более высоких напряжениях питания, микросхема может обеспечить и больший ток во вторичной цепи.
Назначение элементов ЗУ
1. RF1 — резистор 2 Вт/8,2 Ом, он же предохранитель, предназначен для ограничения броска пускового тока. Сгорает при коротких замыканиях внутри схемы ЗУ.
2. D1, D3-D6 (1N4007 1000 В,1 А) — выпрямительный мост.
3. L2 (3,3 мГн) — индуктивность, ограничивающая про никновения в электросеть высокочастотных помех, возникающих при работе ЗУ.

4. С1 (1,0 мкФ/400 В), С2 (4,7 мкФ/400 В), L1 (3,З мГн),Р1 (6,2 кОм)-
сглаживающий фильтр сетевого напряжения.
5. СЗ (10 нФ), R3 (3 кОм), R2 (5,5 кОм), R7 (32 кОм) — SMD-элементы, обеспечивающие оптимальный режим питания микросхемы в установившемся режиме работы.

6. D2 (1N4007 1000 В, 1 А), С4 (330 нФ) — однополупериодный выпрямитель и его сглаживающий конденсатор, вырабатывает сигнал обратной связи для IC1, величина напряжения на С4 приблизительно +26,3 В.
7.Т1 — трансформатор с тремя обмотками. Обмотка 1 — высоковольтная, главная в цепи преобразования, работающая в одной цепи с МОП-транзисторным ключом микросхемы, обмотка 2 — цепь обратной связи микросхемы IC1, вторичная обмотка 3 обеспечивает
питающее напряжение для мобильного телефона.
8.D4 (SB160E) — однополупериодный выпрямитель вторичного напряжения.
9.С5 (220,0 мкФ/25 В) — сглаживающий электролитический конденсатор.
10.R6 (2,7 кОм) — резистор, нагружающий ЗУ по ее низковольтной цепи, так как ненагруженный импульсный преобразователь при переходных процессах может выйти из строя.
11.ZD1 (10 В) -стабилитрон, ограничивающий возможные выбросы напряжения во вторичной цепи ЗУ.
12.R5 (10 Ом), С6(10нФ)-RС-цепочка, поглощающая высокочастотные выбросы, возникающие при работе выпрямителя.
Недостатки этого ЗУ
1. Отсутствие ограничителя выбросов напряжения в питающей сети, например, варистора
или сопрессора. Выбросы могут возникнуть как во время грозы, так и при авариях в электросетях, например захлестывание проводов при сильном ветре. Об этом подробно написано в [2, 3].
2.Отсутствие демпферной цепочки, параллельно высоковольтной обмотки трансформатора, ограничивающей на ней высоковольтные выбросы. Выбросы могут достигать до 1000 В и повредить МОП-транзистор в микросхеме.
3.Отсутствие светового индикатора работы ЗУ.
Следует отметить, что вышеуказанные недостатки присущи многим ЗУ производства Китая.
Приступая к ремонту, следует быть осторожным, так как первичная цепь ЗУ находится под опасным для жизни фазным напряжением электросети!
Ремонт ЗУ
Ремонт начинают с внешнего осмотра монтажной платы (рис.2 и рис.3), часто поврежденные элементы меняют свой внешний вид, поэтому их легко выявить. Если при осмотре были выявлены трещины или поврежденные элементы, то неисправности устраняют.
Часто повреждение бывает в соединительном кабеле или штекере (выход +5 В, точнее, +7. 8 В при работе ЗУ на «холостом ходе»), при этом ЗУ исправно работает. Поэтому в первую очередь необходимо проверить исправность этого кабеля и его штекера.
Далее подключают омметр к клеммам платы (вход 220 В) и проверяют отсутствие короткого замыкания в цепях схемы первичной сети ЗУ. Если его нет, то после проверки исправности остальных элементов, в том числе и в низковольтной цепи, устройство включают в сеть через последовательно соединенную лампу 220 В мощностью 100. 150 Вт. Лампа надежно защитит устройство от сгорания платы при возможных замыканиях в ее цепях.
После измеряют постоянное напряжение на
конденсаторе С2, оно должно быть около 300. 310 В (при напряжении электросети -220 В). При его отсутствии, проверяют исправность элементов: RF1, диоды моста, L1, L2, R6, С1, С2. Далее вольтметром проверяют наличие напряжений на клеммах микросхемы. На схеме рис.4 приведены величины напряжений в контрольных точках ЗУ. При необходимости, заменить микросхему.
Литература
1. Кучеров Д. П. Источники питания ПК. — Наука и Техника, 2005.
3.Власюк Н.П. Грозозащита информационных сетей и радиоэлектронной аппаратуры//Радиоаматор. — 2006. -№12. — С. 5.
4.Власюк Н.П. Что делать, если от аварии в электросети у вас вышла из строя бытовая техника//Радиоаматор. — 2005. — №9. — С. 27.

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи

Источник

Схемы разных китайских зарядников для сотового телефона

Данная статья родилась в связи с тем, что мне пришлось столкнуться с частым ремонтом зарядников сотовых телефонов. Даже при том, что цена китайского зарядника не превышает 100 руб (новый) их мне несут регулярно. И при всей их однотипности бывают небольшие отличия в построении схематики зарядника.

В данном материале будут объединены зарядники, которые я срисовал сам и нашел на просторах интернета.

Схема зарядника телефона LG

Еще один вариант зарядника так называемая Лягушка

Ну и на последок схема получения от 12-24В на выходе 4,5В 0,8А.

Автомобильный адаптер Panasonic Импульсный, стабилизированный на 4 транзисторах.

Вот и все! Со временем планируется пополнять данную статью новыми схемами.

Переключатели, переменные резисторы R4, R9 установлены на лицевой панели из алюминия толщиной 2— 3 мм. Корпус размером 150 х 160 х 90 мм выполнен из фанеры толщиной 10 мм и обклеен декоративной пленкой “под дерево”.

Источник