Меню

Флеш память и аккумуляторы



Как не ошибиться при выборе USB Flash

25 декабря 2018

В этой статье мы разберём особенности современных флэшек, а заодно выберем наиболее жизнеспособные. Краткое лирическое отступление: я пишу «флэшка» через «э», поскольку flash – радость гиков, а flesh – каннибалов. И да простит меня Владимир Владимирович (Лопатин, а не тот, о ком вы подумали)!

Вечная память

В прошлой статье «Dead Flash» мы уже разбирали проблему низкой надёжности карточек флэш-памяти и постепенное падение их качества. Давайте посмотрим под тем же углом на USB-Flash накопители.

Наверняка при слове «надёжность» вы вспоминаете флэшки выживальщиков. Брутальные девайсы из стали и резины, которые в рекламе топят, бьют молотком и давят машинами, а им хоть бы что. Вот только реальные показатели надёжности не имеют ничего общего с этими издевательствами. Вы нырять с флэшкой собираетесь? Гвозди ей забивать? Пускать поезда под откос?

Обрезиненный корпус создаёт эффект термоса, приводя к перегреву контроллера. Часто внутри не оказывается никаких рёбер жёсткости, поэтому резиновая флэшка хоть и выдерживает приличное давление, на удивление легко ломается при изгибе. Получается эдакий закрытый перелом: достаточно положить её в задний карман джинс, или бросить в наружное отделение сумки, где её от души помнут в час пик.

Металлический корпус хорош всем, кроме сложностей при ремонте. Его сложно вскрыть, чтобы добраться до электроники и попытаться спасти ваши файлы. Так что, металл – рулит, но не стоит гнаться за «гантелями». Флэшка в качественной пластиковой оболочке может оказаться даже более рациональным вариантом.

Говоря о долговечности флэшки, обычно имеют в виду два принципиально разных сценария: её смерть от несчастного случая и естественный износ. Проще всего оценить механическую прочность, защиту от пыли и влаги. Чуть сложнее – от воздействия высоких температур. Производители ещё указывают защиту от магнитных полей и рентгеновского излучения, но я до сих пор сомневаюсь, что два последних показателя имеют практический смысл.

Проблемы с электрической частью – одна из частых причин нестабильной работы или повреждения флэшки. На пятивольтовой шине компьютера может оказаться недопустимое напряжение (особенно у любителей моддинга и дешёвых блоков питания), а на самостоятельно подключённых USB-портах бывает перепутана полярность. Поэтому старые флэшки имели на борту солидный блок электроники, включающий в себя кварцевый генератор опорной частоты, стабилитрон и диоды Шоттки для защиты от обратной полярности.

Современные флэшки изготавливаются по упрощённой схемотехнике (особенно монолитные, на которых вся нехитрая электронная обвязка расположена прямо на чипе памяти). У них нет надёжной защиты от повышенного напряжения и переполюсовки, что снижает их живучесть.

После того, как несколько новых флэшек сгорели в кривых портах, я стал использовать для подключения к чужим компьютерам старую Transcend V20. Она не блещет характеристиками, но при наличии проблем с питанием просто отключается, а все данные остаются нетронутыми.

Критерии долговечности

Вне экстремальных условий длительность беспроблемного использования флэшки определяется её ресурсом перезаписи, однако он плохо поддаётся экспресс-оценке. Много лет назад всё было просто: хочешь живучую флэшку – берёшь на SLC-чипах в ущерб объёму и цене. Нужно побольше и подешевле – покупай с MLC-чипами, а TLC – дешёвая дрянь для одноразовых затычек USB-портов.

Не обязательно вскрывать флэшку, чтобы узнать, какие чипы памяти и контроллер стоят внутри неё. Воспользуйтесь бесплатной программой Flash Drive Information Extractor. Вот пример определения в ней флэшки Samsung BAR (см. скриншот ниже).

Сегодня в подавляющем большинстве флэшек используются как раз планарные (2D) модули TLC NAND высокой плотности. Такие хранят 3 бита на ячейку и когда-то считались абсолютным злом, но сейчас им практически не осталось альтернативы. Хорошая новость в том, что изначально низкий ресурс TLC-чипов на уровне 1000 P/E циклов научились продлять за счёт интеллектуальных функций контроллера.

В разных моделях он регулирует износ определённых блоков, подбирает нужное напряжение для чтения/записи каждого из них, применяет алгоритмы кэширования и внутреннего сжатия, заменяет повреждённые блоки резервными и т.д. Конечно, это не настолько интеллектуальные микросхемы, как в SSD корпоративного класса, но и не такие примитивные, как были на заре TLC-памяти, когда её ругали только за сам факт существования.

В основном планарные чипы TLC NAND производят SanDisk и Toshiba, называя этот класс памяти eD3 . У Intel и Micron ставка на 3D-компоновку чипов, а у Samsung трёхмерные (многослойные) чипы называются V-NAND. Поэтому TLC 3D NAND от Micron и TLC V-NAND от Samsung – это не планарная TLC, а принципиально другая память.

По факту у неё не больше проблем с быстрым износом, чем у MLС-чипов нового поколения, особенно если она управляется умным контроллером. Например, Dell выпускает промышленные SSD-накопители серии Mainstream Read-Intensive на трёхмерных модулях TLC (контрактное производство Samsung).

Единичные модели флэшек всё ещё выпускаются с изначально более живучими и менее требовательными к контроллеру MLC-чипами, однако из-за уменьшения техпроцесса их надёжность уже вплотную приблизилась к показателям TLC-чипов. Очень условно можно считать, что сейчас они обладают вдвое большим ресурсом (а лет пять назад мы бы сказали, что он больше минимум втрое). В целом всё зависит от контроллера и режима использования.

Самые надёжные чипы SLC NAND можно встретить только в сегменте специализированных решений уровня industrial/enterprise. Есть ещё вариант SuperMLC – использование части MLC-чипов в режиме SLC. Так повышается уверенность чтения/записи ценой потери объёма.

Особенности производителей

На первый взгляд, напрашивается логичный вывод: выбирать флэшки из ассортимента тех производителей, которые сами выпускают чипы NAND Flash и брать с MLC NAND. Однако не всё так просто.

Вы видели в продаже флэшки от Intel, снова отделившейся от неё Micron, её сингапурской дочки SpecTek или швейцарской Numonyx? Может быть, вам попадались флэшки южнокорейской SK Hynix, или тайваньской Powerchip Technology?

Конечно нет, если только это не перемаркированные промо-девайсы. Флэшки собственного производства сейчас остались у Samsung, Toshiba и SanDisk. Остальные не занимаются такой мелочью, а поставляют чипы разным компаниям, которые уже и делают конечный продукт.

К примеру, у Samsung есть фирменный накопитель Flash Drive BAR с интерфейсом USB 3.0. Он очень надёжный механически, так как выполнен в металлическом корпусе и имеет жёстко фиксированный разъём. Однако внутри установлена память Samsung TLC NAND с небольшим ресурсом перезаписи.

Toshiba выпускала интересную флэшку TransMemory-EX, в которой использовались собственные чипы MLC-8K, а теперь развивает другие серии TransMemory, в которых использует собственную память TLC NAND и контроллеры от Phison или SSS – как повезёт. У большинства моделей скорость чтения близка к таковой для Samsung BAR, последовательная запись чуть медленнее, а вот на блоках по 4 Кб она падает почти до нуля (от 0,001 до 0,03 Мб/с). Короче, новые флэшки от Toshiba не для работы с мелкими файлами.

SanDisk выпускает очень шуструю флэшку Extreme PRO с MLC-памятью и контроллером уровня SSD. Её скорости сравнимы с таковыми у твердотельных накопителей, а цена даже выше. Недостатки тоже существенные: доступно всего два варианта (128 и 256 Гб). В работе (особенно в режиме совместимости на портах USB 2.0) отмечается сильный перегрев и отключение накопителя прямо во время чтения/записи. Прочность металлического корпуса скрадывается выдвижным разъёмом, который легко сломать.

Любопытный казус: TransMemory-EX U382 и SanDisk Connect – вовсе не флэшки. Это картридеры с намертво запаянными в них карточками microSD собственного производства.

Среди производителей первой линии выбор оказался небольшой. Обратимся ко второй, тем более, что у них порой получаются очень достойные модели.

Вот редкие флэшки с MLC-памятью:

Эти модели продаются во всех крупных магазинах. Когда в своё время выбирал из них, остановился на JF 780 и JF 750. Последняя препарирована ниже на фото.

Модуль памяти в 32-гигабайтной модели один, и на нём читается маркировка TDGMM9W-0S03. Это просто перемаркированный в Transcend чип Micron MLC 16 нм. Контроллер предсказуемо одноканальный – SM3267. Мы ещё встретим его у Samsung и других производителей.

Для действительно важных файлов я бы рекомендовал использовать флэшки промышленного класса. Например, Transcend JF170 с чипами SLC объёмом до 2 Гб и старым интерфейсом USB 2.0 или Transcend JF740K с памятью SuperMLC, более новым USB 3.0 и объёмом до 32 Гб – смотря сколько у вас данных.

Также стоит обратить внимание на промышленную серию Silicon Power.

К слову, у меня до сих пор жива флэшка потребительского класса Transcend V185 с SLC NAND 4 Гб. Ей уже лет 12, и она проводила на покой множество других моделей – более новых, скоростных и ёмких, но короткоживущих. Просто её ресурс в 100 тысяч циклов перезаписи сложно выработать за время жизни, даже запуская с неё портейбл-программы.

Скоростные характеристики

Реальные показатели быстродействия флэшек вы не найдёте в их описании. На коробке будут красоваться невнятные «up to 5 Gbps!» и графики в попугаях. К примеру, флэшки Kingston HyperX Savage c контроллером Phison PS2251-08 и памятью Toshiba MLC позиционируются как очень быстрые. Заявленная скорость под 350 Мб/с действительно наблюдается у старшей модели, но буквально на несколько секунд, и только в режиме последовательного чтения.

При копировании файлов с неё (а также многих других моделей с USB 3.x) поначалу радует быстрый старт. Однако ближе к концу операции они резко сбавляют темп, а то и вовсе надолго замирают на отметке 99%. Весь фокус оказывается в быстром кэшировании, а средняя скорость чтения – в разы ниже максимальной. Дополнительным фактором снижения скорости служит перегрев контроллера и чтение/запись мелких файлов – флэшка не оптимизирована для работы с ними.

В младших моделях Samsung BAR используется уже знакомый нам одноканальный контроллер Silicon Motion SM3267, что отрицательно сказывается на скорости. Если при чтении она радует пиковыми скоростями выше 140 Мб/с, то линейная запись не дотягивает и до 20 Мб/с, а на блоках по 4 килобайта и вовсе падает до 0,5 Мб/с. Впрочем, это ещё неплохой результат по сравнению с аналогами. К тому же, в обновлённой модели BAR Plus данный недостаток исправили, доведя запись 4-килобайтными блоками до 15 Мб/с.

Конечно, приятные исключения встречаются, но это ёмкие (от 64 Гб) флэшки, которые стоят дороже SSD аналогичной ёмкости. Привязка к объёму здесь не случайна. Высокие скорости подразумевают использование многоканального режима – параллельной работы контроллера с двумя и более чипами NAND Flash.

Особенность современного производства в том, что даже одна модель флэшек может выпускаться с разной начинкой. Например, почти все модели новых флэшек объёмом до 32 Гб включительно используют одноканальный контроллер, поскольку в них установлен всего один модуль памяти. В более ёмкие (от 64 Гб) флэшки той же серии ставят уже многоканальные контроллеры – шустрые, но горячие.

Серьёзные производители сейчас указывают разные скорости для флэшек одной серии. Можно проследить, как они увеличиваются соответственно объёму (и числу задействованных у контроллера каналов). Остальные ограничиваются общей характеристикой серии, или вовсе указывают теоретический предел интерфейса USB соответствующей версии.

Обратите внимание, что USB 3.1 Gen 1 = USB 3.0 ≤ 5 Гбит/с. Ситуация такая же, как была в своё время с USB 2.0 Full Speed и USB 1.1 (оба имели потолок в 12 Мбит/с). Если хотите больше – ищите USB 3.1 Gen 2. Впрочем, для флэшек это совершенно неактуально. Это же не SSD, и 10 Гбит/с для них такая же недостижимая планка, как и 5 Гбит/с.

Выбор модели ёмкостью от 64 гигабайт в какой-то мере гарантирует приемлемую скорость, однако на ней уже будет файловая система exFAT, которую поддерживают далеко не все устройства. Флэшки с универсальной FAT32 встречаются только до 32 гигабайт.

Изменение приоритетов

В последние годы изменилось назначение USB-Flash. Раньше с их помощью передавали файлы с одного компа на другой, записывали портейбл-софт и превращали в мультизагрузочные сборки. Сейчас эти сценарии ушли на второй план, а флэшки преимущественно используют для освобождения встроенной памяти смартфонов и планшетов, поскольку всё остальное (при быстром коннекте) удобнее делать по сети.

Постепенно главными для массового потребителя стали иные характеристики флэшек: наличие разъёмов для подключения к смартфону без переходников (Micro-USB, USB Type-C и Lightning), компактность и стоимость за гигабайт.

Читайте также:  Dl650 v strom аккумулятор

Производителям ничего не оставалось, как выбросить на рынок кучу однообразных поделок, отличающихся только дизайном. Внутри большинства современных флэшек вы найдёте дешёвый чип TLC NAND и примитивный контроллер, который редко успевает отслеживать износ ячеек и заменять их резервными (если вообще умеет это делать).

Среди всего этого безобразия всё равно приходится что-то выбирать, поэтому для мобильных устройств я бы рекомендовал SanDisk Ultra Dual Drive m3.0 с разъёмом USB MicroB On-The-Go, Kingston DataTraveler microDuo 3C с разъёмом USB Type C и Transcend JetDrive Go 300 с разъёмом Lightning.

Куда делся объём?

Часто в отзывах попадаются возмущённые комментарии о т ом, что вместо 16 Гб на флэшке оказалось всего 15, а вместо 32 Гб – только 30. Причина кроется в разных единицах измерения. Производители считают в десятичной системе счисления, называя гигабайтом 10⁹ байт, а пользователи привыкли к двоичной, полагая, что гигабайт – 2³⁰ байт. Эта разница растёт с увеличением объёма.

К тому же, на флэшках выделяется резервная область для замены контроллером изношенных блоков, которая отъедает ещё процент-другой ёмкости. Дополнительные потери объёма возможны при форматировании с большим размером кластера. Это удобно для быстрого копирования крупных файлов (например, фильмов), но каждый мелкий файл будет съедать больше места, чем фактически занимает. Просто потому, что один кластер не может быть адресован двум разным файлам.

Выводы

Согласно теории Джорджа Акерлофа (за которую в 2001 году он получил Нобелевскую премию по экономике), если продавцы знают о товаре больше, чем покупатели, то плохие товары вытесняют хорошие вплоть до полного исчезновения последних с рынка.

В российских реалиях всё ещё хуже: о свойствах товара не знают ни покупатели, ни продавцы. Описания в интернет-магазинах сводятся к дублированию скудной информации от производителя (хорошо, если ещё скопируют без ошибок) и отзывам от неофитов, которые из-за эффекта Даннинга — Крюгера уже считают себя экспертами.

В итоге качественные продукты не выдерживают конкуренции с внешне подобными, но менее надёжными. Покупатели просто считают их одинаковыми и выбирают более дешёвые аналоги, а производство качественных вещей становится принципиально невыгодным.

Если вам действительно нужен огромный ресурс перезаписи – ищите промышленные флэшки с SLC и SuperMLC чипами. Ссылки на них есть в статье. Вас трудно назвать аккуратным? Берите монолитные флэшки в стальном корпусе с фиксированным разъёмом. Расплатой будет сложная в ремонте конструкция. Нужна скорость? Покупайте модели от 64 Гб и желательно с MLC-чипами. Для требовательных к объёму задач вместо флэшки лучше взять внешний SSD, но это уже тема другой статьи.

Источник

Технологии флэш-памяти

Современному человеку нравится быть мобильным и иметь при себе различные высокотехнологичные гаджеты (англ. gadget — устройство), облегчающие жизнь, да что там скрывать, делающие ее более насыщенной и интересной. И появились-то они всего за 10-15 лет! Миниатюрные, легкие, удобные, цифровые… Всего этого гаджеты достигли благодаря новым микропроцессорным технологиям, но все же больший вклад был сделан одной замечательной технологией хранения данных, о которой сегодня мы и будем говорить. Итак, флэш-память.

Бытует мнение, что название FLASH применительно к типу памяти переводится как «вспышка». На самом деле это не совсем так. Одна из версий его появления говорит о том, что впервые в 1989-90 году компания Toshiba употребила слово Flash в контексте «быстрый, мгновенный» при описании своих новых микросхем. Вообще, изобретателем считается Intel, представившая в 1988 году флэш-память с архитектурой NOR. Годом позже Toshiba разработала архитектуру NAND, которая и сегодня используется наряду с той же NOR в микросхемах флэш. Собственно, сейчас можно сказать, что это два различных вида памяти, имеющие в чем-то схожую технологию производства. В этой статье мы попытаемся понять их устройство, принцип работы, а также рассмотрим различные варианты практического использования.

С помощью нее осуществляется преобразование входных напряжений в выходные, соответствующие «0» и «1». Они необходимы, потому что для чтения/записи данных в ячейке памяти используются различные напряжения. Схема ячейки приведена на рисунке ниже.

Она характерна для большинства флэш-чипов и представляет из себя транзистор с двумя изолированными затворами: управляющим (control) и плавающим (floating). Важной особенностью последнего является способность удерживать электроны, то есть заряд. Также в ячейке имеются так называемые «сток» и «исток». При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на управляющем затворе, создается канал — поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор. На нем они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный диапазон количества электронов (заряда) на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что больше его, — нулю. При чтении эти состояния распознаются путем измерения порогового напряжения транзистора. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток. В технологиях различных производителей этот принцип работы может отличаться по способу подачи тока и чтению данных из ячейки. Хочу также обратить ваше внимание на то, что в структуре флэш-памяти для хранения 1 бита информации задействуется только один элемент (транзистор), в то время как в энергозависимых типах памяти для этого требуется несколько транзисторов и конденсатор. Это позволяет существенно уменьшить размеры выпускаемых микросхем, упростить технологический процесс, а, следовательно, и снизить себестоимость. Но и один бит далеко не предел: Intel уже выпускает память StrataFlash, каждая ячейка которой может хранить по 2 бита информации. Кроме того, существуют пробные образцы, с 4-х и даже 9-битными ячейками! В такой памяти используются технология многоуровневых ячеек. Они имеют обычную структуру, а отличие заключается в том, что заряд их делится на несколько уровней, каждому из которых в соответствие ставится определенная комбинация бит. Теоретически прочитать/записать можно и более 4-х бит, однако, на практике возникают проблемы с устранением шумов и с постепенной утечкой электронов при продолжительном хранении. Вообще, у существующих сегодня микросхем памяти для ячеек характерно время хранения информации, измеряемое годами и число циклов чтения/записи — от 100 тысяч до нескольких миллионов. Из недостатков, в частности, у флэш-памяти с архитектурой NOR стоит отметить плохую масштабируемость: нельзя уменьшать площадь чипов путем уменьшения размеров транзисторов. Эта ситуация связана со способом организации матрицы ячеек: в NOR архитектуре к каждому транзистору надо подвести индивидуальный контакт. Гораздо лучше в этом плане обстоят дела у флэш-памяти с архитектурой NAND.

Устройство и принцип работы ячеек у нее такой же, как и у NOR. Хотя, кроме логики, все-таки есть еще одно важное отличие — архитектура размещения ячеек и их контактов. В отличие от вышеописанного случая, здесь имеется контактная матрица, в пересечениях строк и столбцов которой располагаются транзисторы. Это сравнимо с пассивной матрицей в дисплеях 🙂 (а NOR — с активной TFT). В случае с памятью такая организация несколько лучше — площадь микросхемы можно значительно уменьшить за счет размеров ячеек. Недостатки (куда уж без них) заключаются в более низкой по сравнению с NOR скорости работы в операциях побайтового произвольного доступа.

Существуют еще и такие архитектуры как: DiNOR (Mitsubishi), superAND (Hitachi) и пр. Принципиально нового ничего они не представляют, а лишь комбинируют лучшие свойства NAND и NOR.

И все же, как бы там ни было, NOR и NAND на сегодняшний день выпускаются на равных и практически не конкурируют между собой, потому как в силу своих качеств находят применение в разных областях хранения данных. Об этом и пойдет далее речь…

Где нужна память…

Сфера применения какого-либо типа флэш-памяти зависит в первую очередь от его скоростных показателей и надежности хранения информации. Адресное пространство NOR-памяти позволяет работать с отдельными байтами или словами (2 байта). В NAND ячейки группируются в небольшие блоки (по аналогии с кластером жесткого диска). Из этого следует, что при последовательном чтении и записи преимущество по скорости будет у NAND. Однако с другой стороны NAND значительно проигрывает в операциях с произвольным доступом и не позволяет напрямую работать с байтами информации. К примеру, для изменения одного байта требуется:

  1. считать в буфер блок информации, в котором он находится
  2. в буфере изменить нужный байт
  3. записать блок с измененным байтом обратно

Если еще ко времени выполнения перечисленных операций прибавить задержки на выборку блока и на доступ, то получим отнюдь неконкурентоспособные с NOR показатели (отмечу, что именно для случая побайтовой записи). Другое дело последовательная запись/чтение — здесь NAND наоборот показывает значительно более высокие скоростные характеристики. Поэтому, а также из-за возможностей увеличения объема памяти без увеличения размеров микросхемы, NAND-флэш нашел применение в качестве хранителя больших объемов информации и для ее переноса. Наиболее распространенные сейчас устройства, основанные на этом типе памяти, это флэшдрайвы и карты памяти. Что касается NOR-флэша, то чипы с такой организацией используются в качестве хранителей программного кода (BIOS, RAM карманных компьютеров, мобилок и т. п.), иногда реализовываются в виде интегрированных решений (ОЗУ, ПЗУ и процессор на одной мини-плате, а то и в одном чипе). Удачный пример такого использования — проект Gumstix: одноплатный компьютер размером с пластинку жвачки. Именно NOR-чипы обеспечивают требуемый для таких случаев уровень надежности хранения информации и более гибкие возможности по работе с ней. Объем NOR-флэш обычно измеряется единицами мегабайт и редко переваливает за десятки.

И будет флэш…

Безусловно, флэш — перспективная технология. Однако, несмотря на высокие темпы роста объемов производства, устройства хранения данных, основанные на ней, еще достаточно дороги, чтобы конкурировать с жесткими дисками для настольных систем или ноутбуков. В основном, сейчас сфера господства флэш-памяти ограничивается мобильными устройствами. Как вы понимаете, этот сегмент информационных технологий не так уж и мал. Кроме того, со слов производителей, на нем экспансия флэш не остановится. Итак, какие же основные тенденции развития имеют место в этой области.

Во-первых, как уже упоминалось выше, большое внимание уделяется интегрированным решениям. Причем проекты вроде Gumstix лишь промежуточные этапы на пути к реализации всех функций в одной микросхеме.

Пока что, так называемые on-chip (single-chip) системы представляют собой комбинации в одном чипе флэш-памяти с контроллером, процессором, SDRAM или же со специальным ПО. Так, например, Intel StrataFlash в сочетании с ПО Persistent Storage Manager (PSM) дает возможность использовать объем памяти одновременно как для хранения данных, так и для выполнения программного кода. PSM по сути дела является файловой системой, поддерживающейся ОС Windows CE 2.1 и выше. Все это направлено на снижение количества компонентов и уменьшение габаритов мобильных устройств с увеличением их функциональности и производительности. Не менее интересна и актуальна разработка компании Renesas — флэш-память типа superAND с встроенными функциями управления. До этого момента они реализовывались отдельно в контроллере, а теперь интегрированы прямо в чип. Это функции контроля бэд-секторов, коррекции ошибок (ECC — error check and correct), равномерности износа ячеек (wear leveling). Поскольку в тех или иных вариациях они присутствуют в большинстве других брендовых прошивок внешних контроллеров, давайте вкратце их рассмотрим. Начнем с бэд-секторов. Да, во флэш-памяти они тоже встречаются: уже с конвейера сходят чипы, имеющие в среднем до 2% нерабочих ячеек — это обычная технологическая норма. Но со временем их количество может увеличиваться (окружающую среду в этом винить особо не стоит — электромагнитное, физическое (тряска и т. п.) влияние флэш-чипу не страшно). Поэтому, как и в жестких дисках, во флэш-памяти предусмотрен резервный объем. Если появляется плохой сектор, функция контроля подменяет его адрес в таблице размещения файлов адресом сектора из резервной области.

Собственно, выявлением бэдов занимается алгоритм ECC — он сравнивает записываемую информацию с реально записанной. Также в связи с ограниченным ресурсом ячеек (порядка нескольких миллионов циклов чтения/записи для каждой) важно наличие функции учета равномерности износа. Приведу такой редкий, но встречающийся случай: брелок с 32 Мбайт, из которых 30 Мбайт заняты, а на свободное место постоянно что-то записывается и удаляется. Получается, что одни ячейки простаивают, а другие интенсивно исчерпывают свой ресурс. Чтобы такого не было, в фирменных устройствах свободное пространство условно разбивается на участки, для каждого из которых осуществляется контроль и учет количества операций записи.

Читайте также:  Аккумулятор для телефона samsung galaxy gt i9190

Еще более сложные конфигурации класса «все-в-одном» сейчас широко представлены такими компаниями как, например, Intel, Samsung, Hitachi и др. Их изделия представляют собой многофункциональные устройства, реализованные в одной лишь микросхеме (стандартно в ней имеется процессор, флэш-память и SDRAM). Ориентированы они на применение в мобильных устройствах, где важна высокая производительность при минимальных размерах и низком энергопотреблении. К таким относятся: PDA, смартфоны, телефоны для сетей 3G. Приведу пример подобных разработок — чип от Samsung, объединяющий в себе ARM-процессор (203 МГц), 256 Мбайт NAND памяти и 256 SDRAM. Он совместим с распространенными ОС: Windows CE, Palm OS, Symbian, Linux и имеет поддержку USB. Таким образом на его основе возможно создание многофункциональных мобильных устройств с низким энергопотреблением, способных работать с видео, звуком, голосом и прочими ресурсоемкими приложениями.

Другим направлением совершенствования флэш является уменьшение энергопотребления и размеров с одновременным увеличением объема и быстродействия памяти. В большей степени это касается микросхем с NOR архитектурой, поскольку с развитием мобильных компьютеров, поддерживающих работу в беспроводных сетях, именно NOR-флэш, благодаря небольшим размерам и малому энергопотреблению, станет универсальным решением для хранения и выполнения программного кода. В скором времени в серийное производство будут запущены 512 Мбит чипы NOR той же Renesas. Напряжение питания их составит 3,3 В (напомню, хранить информацию они могут и без подачи тока), а скорость в операциях записи — 4 Мбайт/сек. В то же время Intel уже представляет свою разработку StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) — универсальную систему флэш-памяти для беспроводных технологий. Объем ее памяти может достигать 1 Гбит, а рабочее напряжение равно 1.8 В. Технология изготовления чипов — 0,13 нм, в планах переход на 0,09 нм техпроцесс. Среди инноваций данной компании также стоит отметить организацию пакетного режима работы с NOR-памятью. Он позволяет считывать информацию не по одному байту, а блоками — по 16 байт: с использованием 66 МГц шины данных скорость обмена информацией с процессором достигает 92 Мбит/с!

Что ж, как видите, технология развивается стремительно. Вполне возможно, что к моменту выхода статьи появится еще что-нибудь новенькое. Так что, если что — не взыщите 🙂 Надеюсь, материал был вам интересен.

Источник

USB флэш-накопители: преимущества и недостатки

Статья содержит краткое описание устройства USB флэш-накопителей, а также информацию об основных недостатках и преимуществах данного носителя.

Флэш-память – твердая энергонезависимая перезаписываемая память, созданная на основе полупроводников. Флэш-память способна выдержать до 100 – 150 тысяч циклов перезаписи информации, что в разы превышает способности обыкновенной дискеты или CD-RW. Считывать информацию, записанную на флэш-носитель, можно неограниченное число раз.

Флэш-память не содержит подвижных устройств, что делает ее более компактной и надежной, чем магнитный или оптический диск.

Благодаря низкому энергопотреблению, компактности и невысокой стоимости Флэш-носители информации нашли широкое применение в устройствах, работающих на аккумуляторах и батарейках. Флэш-память используется в различных коммуникаторах, смартфонах, мобильных телефонах, цифровых фотокамерах, видеокамерах, карманных компьютерах, цифровых диктофонах, аудиоплеерах.

Широкое распространение в современном мире получили USB-флешки, которые практически вытеснили такие носители информации, как CD-диски и дискеты.

USB флэш-накопители для хранения информации используют флэш-память. К компьютеру или любому другому считывающему устройству USB-флешки подключатся через стандартные USB-разъемы.
USB-флешка обычно имеет вытянутую форму со съемным колпачком, который защищает USB-разъем от повреждений и загрязнений. В продаже можно встретить флешки нестандартных форм, например в виде ручки, ножа, брелка, часов, игрушек и т.п.

К основным недостаткам USB-накопителей можно отнести:
1. Ограниченную пропускную способность USB;
2. Ограниченное число циклов перезаписи;
3. Небольшой срок автономного хранения информации;
4. Компактную USB-флешку очень легко потерять.

К преимуществам можно отнести:

1. Бесшумность работы, малый вес и портативность;
2. USB-накопители меньше подвержены воздействию пыли, царапин, чем дискеты и оптические диски;
3. Почти каждое современное цифровое устройство или компьютер имеют USB-разъемы;
4. Отсутствие подвижных устройств снижают энергопотребление флешек в несколько раз;
5. USB-флешки сохраняют полную работоспособность в широком температурном диапазоне;
6. USB-флешки имеют очень высокую плотность записи.

флеш накопители usb

А вы пользуетесь флешками? Если да, то напишите в комментариях, чем они вам нравятся или не нравятся.

Источник

Флэш-память: технология хранилища данных

Флэш-память (также известная как флэш-хранилище данных) — тип энергонезависимой памяти, поддерживающей функции очистки данных единицами, составляющими блоки. Такой блок, сохранённый на микросхеме флэш-памяти, удаляется до того момента, когда данные записываются (программируются) на микросхему. Каким образом технология хранилища помогает сохранять данные на протяжении длительного периода времени, независимо от включения/выключения флэш-устройства? Рассмотрим концепцию подробно с целью лучшего понимания функциональности.

Ставший привычным потребительский спрос на Флэш-память

Частое применение флэш-памяти — использование в системах корпоративных серверов, хранилищах и сетевых технологиях, а также в широком спектре потребительских устройств. Давно привычными видятся, к примеру,

  • USB-накопители,
  • мобильные телефоны,
  • цифровые камеры,
  • планшетные компьютеры,
  • карты ПК в ноутбуках,
  • встроенные контроллеры.

Так, твердотельные накопители, выстроенные на флэш-памяти типичного исполнения NAND, нередко используются для повышения производительности приложений, интенсивно использующих ввод-вывод. В свою очередь флэш-память типичного исполнения NOR традиционно используется для хранения управляющего кода, например, базовой системы ввода/вывода (BIOS) ПК.

Флэш-память активно используется для вычислений посредством оперативной памяти, что позволяет повысить производительность и масштабируемость систем, управляющих и анализирующих большие объёмы информации.

Изобретение технологии флэш-памяти

Впервые нечто подобное удалось изобрести учёному Фуджио Масуоке, который числился одним из ведущих сотрудников японской компании «Toshiba» в период 1980-х годов. Вместе с тем, соавтору изобретения Содзи Ариизуми приписывают появление термина «вспышка». Содзи Ариизуми разработал процесс стирания данных с полупроводникового чипа, объяснив этот процесс на примере вспышки фотокамеры.

По сути, флэш-память берёт начало из принципов стираемых программируемых устройств EPROM, а также электрически стираемых модулей EEPROM. Флэш технически рассматривается вариантом EEPROM, но отрасль резервирует термин EEPROM для стираемой памяти на уровне байтов и применяет термин флэш-память к большей стираемой памяти на уровне блоков.

Устройства, использующие флэш-память, стирают данные на уровне блоков и перезаписывают данные на уровне байтов – «NOR Flash», или на уровне многобайтовых страниц – «NAND Flash». Флэш-память широко используется для хранения и передачи данных:

  • бытовых устройств,
  • корпоративных систем,
  • промышленных приложений.

Как работает флеш-память?

Архитектура флэш-памяти содержит массив, укомплектованный большим количеством флэш-ячеек. Базовая ячейка флэш-памяти имеет накопительный транзистор с двумя затворами:

  1. Управляющий.
  2. Плавающий.

Последний в списке затвор, изолированный от остальной части транзистора тонким диэлектрическим материалом (оксидным слоем), хранит электрический заряд и контролирует поток электрического тока.

Электроны наполняют или освобождают зону плавающего затвора, что приводит к изменению порога напряжения накопительного транзистора. Изменением напряжения определяется статус программирования ячейки (ноль или единица).

Процесс туннелирования Фаулера-Нордхайма

Процесс, именуемый туннелированием Фаулера-Нордхайма, освобождает от электронов зону плавающего затвора. Добавление и удержание электронов в зоне плавающего затвора осуществляется процессом туннелирования Фаулера-Нордхайма, либо явлением, именуемым канальная инжекция горячих электронов.

Туннелированием Фаулера-Нордхайма данные стираются через сильный отрицательный заряд, присутствующий на управляющем элементе. Это заставляет электроны транспортироваться через канал, где существует сильный положительный заряд.

Обратное явление происходит при использовании туннелирования Фаулера-Нордхайма для захвата электронов в зоне плавающего затвора. Электронам удаётся прорываться через тонкий оксидный слой к плавающему затвору в присутствии сильного электрического поля. Способствует этому сильный отрицательный заряд истока и стока транзистора, а также сильный положительный заряд управляющего затвора.

Канал инжекции «горячих» электронов (инжекция «горячих» носителей) позволяет электронам прорваться через оксид затвора и менять пороговое напряжение плавающего затвора. Этот прорыв происходит, когда электроны получают достаточное количество энергии по причине высокого тока канала и заряда управляющего затвора.

Электроны перетекают в зону плавающего затвора независимо от того, получает ли устройство, содержащее элемент флэш-памяти, питание в результате электрической изоляции, создаваемой оксидным слоем. Эта характеристика позволяет флэш-памяти обеспечивать постоянное хранение информации.

Ячейки EPROM и EEPROM работают аналогично флэш-памяти в плане записи (программирования) данными, но отличаются от флэш-памяти тем, как стираются записанные данные. EPROM стирается посредством ультрафиолетового излучения. ЭСППЗУ стирает данные в электронном виде на уровне байтов, тогда как флэш-память стирает электростатические данные на уровне блоков.

Флэш-память типа NOR и NAND

Существует два типа флэш-памяти:

  1. Типичное исполнение NOR.
  2. Типичное исполнение NAND.

Оба типа — NOR и NAND, отличаются архитектурой и конструктивными характеристиками. Тип исполнения NOR Flash не использует общие компоненты и поддерживает параллельное подключение отдельных ячеек памяти, обеспечивая произвольный доступ к данным. Ячейка флэш-памяти NAND более компактна, имеет меньше разрядных линий, соединяющих транзисторы с плавающим затвором, что приводит к увеличению плотности сохраняемых данных.

Типовое исполнение NAND лучше всего подходит для последовательного, но не произвольного доступа к данным. Геометрия процесса флэш-памяти NAND разрабатывалась в ответ на достижение планарной шкалой NAND своего практического предела масштабирования. При чтении данных флэш-память типа NOR работает быстрее, но при стирании и записи отмечается существенное замедление по сравнению с типом NAND.

Типовое исполнение NOR Flash программирует данные на уровне байтов. Типовое исполнение NAND Flash программирует данные страницами, которые по размеру больше байтов, но меньше блоков. Так, размер страницы обычно составляет 4 килобайта (КБ), тогда как размер блока варьируется от 128 до 256 КБ или мегабайт. Приложениями интенсивной записи вспышка NAND потребляет меньше энергии, чем вспышка NOR.

Флэш-память NOR более дорогая в производстве по сравнению с флэш-памятью NAND. Как правило, эта технология используется в основном на уровне бытовых встраиваемых устройств под загрузку, а также в приложениях только для чтения сохранённого кода. Между тем флэш-память NAND больше подходит для хранения данных на бытовых устройствах, а также на корпоративных серверах и в системах хранения, благодаря:

  • более низкой стоимости за бит сохранения данных,
  • большей плотности записи,
  • более высокой скорости программирования и стирания.

Бытовые современные устройства, например, телефоны с фотокамерой, поддерживают использование как NOR Flash, так и NAND Flash, в дополнение к другим технологиям памяти, чем обеспечивают лучшее выполнение кода и надёжное хранение данных.

Архитектура строения флэш-памяти

Традиционно флэш-память организована на кремниевой подложке (исполнение SSD). По сути, это твердотельные устройства, широко используемые, как в бытовой электронике, так и в корпоративных системах хранения данных. Существует три форм-фактора SSD, которые были определены Инициативой по твердотельному хранилищу:

  • устройства SSD, поддерживающие слоты традиционных электромеханических жёстких дисков (HDD).
  • устройства SSD, имеющие архитектуру, похожую на интегральную микросхему.
  • твердотельные карты на печатной плате под стандартный форм-фактор карты (Peripheral Component Interconnect Express).
  • твердотельные модули, которые помещаются в двойной встроенный модуль памяти (DIMM) или небольшой контурный двойной встроенный модуль памяти с использованием стандартного интерфейса жёсткого диска SATA.

УСТРОЙСТВО SSD

Дополнительной подкатегорией является гибридный жесткий диск, который сочетает в себе обычный жесткий диск с флэш-модулем NAND. Гибридный жесткий диск обычно рассматривается как способ преодоления разрыва между вращающимися носителями и флэш-памятью.

Массив All-Flash и гибридная флэш-память

Появление флэш-памяти способствовало появлению массивов, полностью организованных на флэш-памяти. Эти системы содержат исключительно твердотельные накопители.

Массивы All-Flash предлагают преимущества в производительности, обещают снижение эксплуатационных расходов по сравнению с дисковыми массивами хранения. Основное отличие All-Flash заключается в базовой физической архитектуре, используемой для записи данных на запоминающее устройство.

Массивы на основе жестких дисков имеют приводной рычаг, благодаря которому происходит запись данных определенного блока в определённом секторе на диске. Системы флэш-памяти не требуют движущихся частей для записи данных. Записи производятся непосредственно во флэш-память, а пользовательское программное обеспечение обрабатывает данные.

Гибридный флэш-массив объединяет диски и твердотельные накопители. Гибридные массивы используют устройства SSD в качестве кэша для ускорения доступа к часто запрашиваемым горячим данным, которые впоследствии перезаписываются на внутренний диск. Многие предприятия обычно архивируют данные с диска по мере старения накопителя, реплицируя эти данные во внешнюю библиотеку магнитных лент.

Лента Flash plus, также известная как Flape, описывает тип многоуровневого хранилища, в котором первичные данные во флэш-памяти одновременно записываются в линейную ленточную систему.

Читайте также:  Афа аккумулятор кто производитель

Помимо массивов флэш-памяти, возможность вставлять твердотельные накопители в серверы на базе x86 повышает популярность технологии. Эта схема называется флэш-памятью на стороне сервера и позволяет компаниям обходить ограничения поставщика, связанные с приобретением дорогих и интегрированных массивов флэш-памяти.

Недостаток размещения флэш-памяти на сервере заключается в том, что заказчикам необходимо создавать аппаратную систему внутри компании, включая покупку и установку стёка программного обеспечения для управления хранением у стороннего поставщика.

Плюсы и минусы технологии флэш-памяти

Flash является наименее дорогой формой полупроводниковой памяти. В отличие от динамического оперативного запоминающего устройства (DRAM) и статического ОЗУ (SRAM), флэш-память:

  • энергонезависимая,
  • обеспечивает более низкое энергопотребление,
  • допускает очистку большими блоками.

Кроме того, типовое исполнение NOR Flash, к примеру, поддерживает быстрое случайное чтение, в то время как NAND Flash обеспечивает быстрое последовательное чтение и запись.

SSD с чипами флэш-памяти NAND обеспечивает значительно более высокую производительность, чем традиционные магнитные носители — жёсткие диски и магнитная лента. Флэш-накопители также потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла, чем жёсткие диски. Корпоративные системы хранения, оснащённые флэш-накопителями, имеют низкую задержку (измеряется в микросекундах или миллисекундах).

Основными недостатками флэш-памяти являются механизм износа и межклеточные помехи по мере уменьшения размеров матриц. Проявляются дефекты бит, связанные с чрезмерно большим числом циклов программирования / стирания.

В конечном итоге разрушается оксидный слой, улавливающий электроны. Ухудшение структуры способно искажать установленное изготовителем пороговое значение, при котором определяется статус заряда (нуль или единица). Возможны блокирования электронов внутри оксидного изоляционного слоя, что также приводит к ошибкам.

Типовое исполнение флэш-памяти NAND

Производители полупроводниковых флэш-накопителей NAND разработали различные типы памяти, подходящие для широкого спектра случаев использования данных.

Следующая таблица представляет различные типы флэш-памяти NAND:

Типовое исполнение Обозначение Преимущества Недостатки Основное применение
Одноуровневая ячейка (SLC) Сохранение одного бита на ячейку + два уровня заряда. Более высокая производительность, выносливость и надежность, чем у других типов флэш-памяти NAND. Более высокая стоимость, чем у других типов NAND-памяти Корпоративные хранилища данных, критически важные приложения.
Многоуровневая ячейка (MLC) Способность хранить несколько бит на ячейку и несколько уровней заряда. Дешевле, чем SLC, при этом исполнение MLC (eMLC) обеспечивает высокую плотность данных. Пониженная выносливость, чем у SLC, плюс eMLC работает медленнее SLC. Устройства бытового назначения, корпоративные хранилища.
Корпоративные MLC (eMLC) Способность хранить два бита на ячейку и несколько уровней заряда. Дополняются специальными алгоритмами записи. Менее дорогая, чем SLC-flash, обладает лучшей выносливостью, чем MLC-flash Дороже, чем MLC, медленнее, чем SLC. Корпоративные приложения под высокую нагрузку записи.
Трёхуровневая ячейка (TLC) Хранит три бита на ячейку и несколько уровней заряда. Также упоминается как MLC-3, X3 или 3-битный MLC. Более низкая стоимость и более высокая плотность записи, чем у MLC и SLC. Более низкая производительность и выносливость, чем у MLC и SLC. USB-накопители, карты флэш-памяти, смартфоны и клиентские твердотельные накопители, а также твердотельные накопители для центров обработки данных для нагрузок с интенсивным чтением.
Вертикальная (3D NAND) Ячейки памяти расположены одна над другой, в трёх измерениях, по сравнению с традиционной плоской технологией NAND. Более высокая плотность, более высокая производительность записи и более низкая стоимость на бит по сравнению с плоской NAND. Более высокая стоимость изготовления, чем у плоской NAND. Сложность изготовления с использованием производственных плоских процессов NAND. Потенциально более низкий срок хранения данных. Пользовательские и корпоративные хранилища
Четырёхуровневая ячейка (QLC) Использует 64-уровневую архитектуру, которая считается следующей итерацией 3D NAND. Редкость по состоянию на ноябрь 2017 года. Хранит четыре бита данных на ячейку NAND, что потенциально повышает плотность SSD. Больше битов данных на ячейку негативно влияет на степень выносливости. Увеличенные затраты на разработку. Одноразовая запись, с последующим многоразовым чтением (WORM) – как основной пример использования.

Типичное исполнение флэш-памяти NOR

Два основных типа флэш-памяти NOR делятся на устройства, имеющие:

  1. Параллельный интерфейс.
  2. Последовательный интерфейс.

Типичное исполнение NOR Flash изначально предлагалось только с параллельным интерфейсом. Архитектура параллельных NOR модулей предлагает высокую производительность, безопасность и дополнительные функции. Основное использование таких устройств отмечается для нужд:

  • промышленности,
  • автомобильной сферы,
  • сетевых и телекоммуникационных систем,
  • различного оборудования.

Ячейки таких NOR Flash соединены параллельно для произвольного доступа. Конфигурация предназначена для случайного чтения, связанного с инструкциями микропроцессора, а также для выполнения кодов, используемых в портативных электронных устройствах, почти исключительно из потребительского разнообразия.

Флэш-память NOR Flash с последовательным интерфейсом имеет меньшее количество выводов и более компактную упаковку, что делает этот вариант менее дорогим, чем параллельный. Варианты использования для последовательной вариации NOR включают:

  • персональные и ультратонкие компьютеры,
  • серверы,
  • жёсткие диски,
  • принтеры,
  • цифровые камеры,
  • модемы и маршрутизаторы.

Будущее коммерческого рынка флэш-памяти

Рынок флэш-памяти продолжает рассматривать прогрессивные изменения форм-фактора и вариантов развёртывания. Поставщики массивов хранения добавляют поддержку интерфейса контроллера энергонезависимой памяти (NVMe). Речь идёт о протоколе, который ускоряет передачу данных между клиентскими системами и флэш-хранилищем. Хост-контроллер NVMe использует быстродействующую шину PCIe.

Использование шины PCIe позволяет приложению напрямую обмениваться данными с флэш-хранилищем, уменьшая скачки в сети, которые могут возникнуть с адаптерами и маршрутизаторами главной шины. Интерфейс PCIe обеспечивает появление дисков, основанных на спецификации NVMe, предоставляя альтернативу, которая, по мнению экспертов, может заменить форм-факторы 2,5 и 3,5 дюйма. Твердотельные накопители NVMe подключаются к незанятым слотам сервера на компьютере, что снижает стоимость и сложность транспортировки, связанные с кабельными сетями.

Источник

Как выбрать USB-флешку

Часто на форумах звучит вопрос о том, какую флешку выбрать и на что необходимо обратить особое внимание. В торговых сетях представлены, кажется, тысячи вариантов этого девайса. Разобраться в конфигурациях несложно, главное понимать цель приобретения. Она и будет основой для подбора нужной USB флешки.

Стандарт USB

Прежде чем остановить свой выбор на той или иной флешке, изучите устройство, в которое вы собираетесь её подключать. В настоящее время на рынке USB флешек присутствует несколько интерфейсов.

• 2.0 – это устаревший стандарт, чья пропускная способность весьма скромная – менее 400 Мбит/с, но это теоретически, а на деле она в разы ниже — скорость таких флешек 30-35 Мбит/с. Тем не менее, многие устройства снабжены именно такими разъемами, что является их узким местом.

• 3.0 – более современный стандарт. Здесь пропускная способность на порядок выше. Разъем отличается от предыдущего несколькими дополнительными контактными группами.

• 3.1 и 3.1 Type C – интерфейсы более свежего поколения. Стандарт 3.1 имеет обратную совместимость с интерфейсами 2.0 и 3.0, а вариант Type C ещё и совершенно отличный от предыдущих разъем. Обратите на это внимание, так как при отсутствии подобного входа вам придется покупать переходник. Стандарт 3.1 обладает заявленной скоростью, вдвойне превышающую 3.0 — до 10 Гбит/c. Но на практике лучше смотреть в описании товара, у продавца либо на коробке товара.

Какой бы стандарт USB вы ни приобрели, нужно понимать, что оптимизация скорости чтения и записи будет происходить только при подключении к соответствующему порту. Если присоединить 3.0 к 2.0, то показатели будут чуть выше, но не на таком уровне как при соединении устройства с родным разъемом 3.0.

Основные характеристики USB флешки

Что греха таить, большинство из нас, выбирая флешку, обращают внимание только на эту характеристику. Сначала срабатывает жадность — хочется взять устройство с самым большим объёмом памяти. Сегодня существуют флешки от 4 ГБ до 2 ТБ. Многие еще помнят времена, когда накопитель меньше гигабайта считался крутым, но технический прогресс в области компьютерных технологий настолько стремительный, что сегодня, увидев стоимость 8-16-гигабайтного устройства, мозг срабатывает на «а не посмотреть ли побольше?».

Можно условно разделить все флешки на несколько групп по стоимости:

• 4–8 ГБ— бюджетные, но малообъемные;

• 128 ГБ и выше – стоимость высокая, но для определенных целей пригодится. А если позволяют средства, то совсем хорошо – можно брать.

Самое главное здесь — понять, что большой объём не всегда оправдан и совсем не синоним качества и быстродействия прибора.

Максимальная пропускная способность

Именно максимальная скорость чтения, с которой устройство считывает информацию, позволяет беспрепятственно смотреть фильмы непосредственно с флешки или быстро перекачивать информацию на компьютер. Доступная величина этого показателя может колебаться от 5 до 420 Мбит/c и выше. Если скорость чтения слишком низкая, то не получится использовать флеш-накопитель в качестве съемного диска — рекомендуется сначала перекачать информацию на жесткий диск стационарного устройства, а потом работать уже с него. При низких скоростях фильмы воспроизводятся «толчками», бухгалтерские и графические программы тормозят так, что работа превращается в ад.

Максимальная скорость записи позволит не тратить уйму времени при копировании файлов на флешку. Представьте, что вы зашли к товарищу записать новый фильм и «зависли» у него вместе с флеш-накопителем на несколько часов. Сегодня USB флешки различаются по этому показателю в пределах от 2,5 до 380 Мбит/c и выше. Это практическая скорость, теоретическая возможная величина бывает выше.

На коробках у серьезных брендов вы можете встретить оба показателя. Не стоит доверять не проверенным производителям, так как неизвестно, на что нарветесь при покупке. Особенно остерегайтесь объемных флешек с указанными солидными величинами скорости чтения и записи, но с низкой стоимостью – скорее всего, заявленные параметры не будут соответствовать действительности.

Поддержка ОТG – это универсальное устройство, которое можно подключить и к компьютеру, и к смартфону, что очень удобно. То есть оно имеет два разъема с двух сторон. В остальном его показатели выбираются так же, как и у обычной флешки.

Особенности конструктивного исполнения

Если кажется, что ничего сложного в выборе корпуса нет, то вы правы только отчасти. Флешка имеет доступную рабочую область для механических повреждений или попадания влаги. Существуют несколько основных типов USB-разъемов:

• Корпус соединяется с колпачком — самый практичный вид защиты. Колпачки обычно изготавливают из тех же материалов, что и корпус – резины, пластика или металла. Резиновые лучше фиксируются и защищают устройство от влаги и пыли.

• Поворотный корпус – вся конструкция выглядит как скоба, которая зафиксирована снаружи и может поворачиваться из стороны в сторону, что дает возможность закрыть собой USB-разъем. Здесь защита весьма сомнительная и только от механических повреждений.

• Выдвижной разъем – разъем прячется внутрь и извлекается при помощи подвижной клавиши. Главный недостаток — может сломаться фиксатор, и пользоваться накопителем будет неудобно. Здесь стоит упомянуть о слайдере с автозакрытием, это более современный вид выдвижного разъема, но недостатки те же.

• Карабин – рабочая поверхность девайса прячется внутрь корпуса по принципу складного ножа. Недостатки защиты, как у поворотного корпуса.

• Флешка с компактным корпусом не имеет защиты от ваги и механических повреждений, но удобная в использовании. Она может служить для работы, но не для длительного хранения файлов так как имеет открытые контакты.

Лучше всего приобретать устройство с влагозащищенной конструкцией, особенно если его приходится постоянно переносить с места на место или использовать как хранилище данных на длительный период.

Материал корпуса бывает разный: металл, пластик, резина, алюминий. Самый распространенный – пластик, а самый надежный и удобный – резина.

У флешки часто присутствует световой индикатор, который показывает, что устройство подключено правильно и работает, а также отверстие для крепленияк брелоку или браслету.

Подарочный дизайн корпуса можно посоветовать только конкретно для подарка, причем человеку, чья деятельность не связана с частым использованием данного девайса. Различные модели, выполненные под внешний вид бутербродов, кошечек, миньонов и прочего милого дизайна, мало удобны. Если в соседнее гнездо необходимо подключить другое устройство – оно может просто не вместиться.

Советы по выбору

• Любителям смотреть с флешки фильмы высокого качества или слушать музыку лучше обратить внимание на устройства объемом не менее 64 ГБ и скоростью передачи данных не менее 400 Мбит/с.

• Если флешка требуется для хранения текстовых файлов или фотографий, но зато вы хотите сохранить их надолго, то не стоит гнаться за большим объемом памяти – такие файлы не занимают много места. Зато выберите влагозащитную функцию и обязательно корпус с колпачком из резины.

Источник